大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D 一切后果自负是什么意思，不然后果自负是什么意思NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需一切后果自负是什么意思，不然后果自负是什么意思求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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