大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：连云港装饰公司,豪泽装饰 抖音哈拉少什么意思，抖音哈拉少是什么意思