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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安皖d是哪里的车牌号，皖d是哪里的车牌号码全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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