大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受秋以为期句式特点，秋以为期句式判断益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(dià秋以为期句式特点，秋以为期句式判断n)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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