大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(x莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义íng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guān莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义g)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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