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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重欧莱雅染发剂和施华蔻染发剂哪个好，欧莱雅染发剂和施华蔻染发剂哪个好大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ欧莱雅染发剂和施华蔻染发剂哪个好，欧莱雅染发剂和施华蔻染发剂哪个好)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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