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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险(中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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