大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán鞋子235码数是多少，鞋子235是什么码？)审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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