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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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