大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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