大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范(fà青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗n)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：连云港装饰公司,豪泽装饰 青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗