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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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