大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó一方水等于多少升，一方水等于多少升水)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数(s一方水等于多少升，一方水等于多少升水hù)据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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