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　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎweather可数吗感叹句，a bad weather可数吗n)，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要weather可数吗感叹句，a bad weather可数吗遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部weather可数吗感叹句，a bad weather可数吗数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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