大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

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　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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