大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　河北保定技校排名，保定技校前十名

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(河北保定技校排名，保定技校前十名luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(河北保定技校排名，保定技校前十名kè)户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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