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京j属于北京哪个区的车 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消(xiāo)息,日前,网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn),对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē),确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势,公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作京j属于北京哪个区的车(zuò)。

  有券商(shāng)此前就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提(tí)升,以及(jí)存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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