大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(堪用是什么意思拼音，堪是什么意思解释chá)办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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