大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM左眉毛有一根特别长是什么意思？ （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī左眉毛有一根特别长是什么意思？)工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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