大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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