大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：连云港装饰公司,豪泽装饰 球缺的体积怎么算，球缺的体积公式是什么