大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　豫n是河南哪里的车牌>美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存豫n是河南哪里的车牌储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、S豫n是河南哪里的车牌olidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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