大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行ln的公式大全，ln4-ln2等于多少业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(ln的公式大全，ln4-ln2等于多少yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的ln的公式大全，ln4-ln2等于多少生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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