大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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